Defects creation under UV irradiation of PbWO4 crystals
Jazyk angličtina Země Velká Británie, Anglie Médium print-electronic
Typ dokumentu časopisecké články, práce podpořená grantem
PubMed
16581927
DOI
10.1093/rpd/nci580
PII: nci580
Knihovny.cz E-zdroje
- MeSH
- dávka záření MeSH
- krystalizace metody MeSH
- sloučeniny wolframu analýza chemie účinky záření MeSH
- termoluminiscenční dozimetrie metody MeSH
- testování materiálů MeSH
- ultrafialové záření * MeSH
- vztah dávky záření a odpovědi MeSH
- Publikační typ
- časopisecké články MeSH
- práce podpořená grantem MeSH
- Názvy látek
- lead tungstate MeSH Prohlížeč
- sloučeniny wolframu MeSH
A systematic study of photothermally stimulated defects creation processes is carried out by the thermally stimulated luminescence (TSL) method for a large number of undoped and doped PbWO4 crystals under irradiation at 80-180 K in the 3.4-4.3 eV energy range. The activation energy Ea for the regular exciton state disintegration is found to be approximately 0.1 eV. For defect-related states disintegration, Ea varies in the crystals studied from 0.03 to 0.36 eV. The origin of the defect-related states is discussed. The conclusion is made that not only a release of charge carriers but also charge transfer processes take place under UV irradiation of PbWO4 crystals.
Citace poskytuje Crossref.org
